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BSC500N20NS3 G /MOSFET N-Ch 200V 24A TDSON-8
BSC500N20NS3 G的规格信息
BSC500N20NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:24 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:96 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:BSC500N20

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:19 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:BSC500N20NS3GATMA1 BSC5N2NS3GXT SP000998292

供应商BSC500N20NS3 G
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BSC500N20NS3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 60?A 漏源导通电阻:50mΩ @ 22A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO574.90 Kbytes共9页BSC500N20NS3 G的PDF下载地址
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BSC500N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 24A TDSON-81:¥12.9046
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BSC500N20NS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 60?A 漏源导通电阻:50mΩ @ 22A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:N沟道1+:¥13.83
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500+:¥5.17
1000+:¥5.07